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厂商型号

+SFH3100F 

产品描述

Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin

内部编号

286-SFH3100F

#1

数量:4390
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:4000
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#3

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+SFH3100F产品详细规格

规格书 +SFH3100F datasheet 规格书
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 7 V
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 920 nm
镜片颜色 Black
透镜形状类型 Domed
镜头规格 1.8 mm
观看方向 Side View
半强度角度 28 °
最大下降时间 9000 ns
最大上升时间 7000 ns
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Bulk
倒V / VECO 7V
匹配代码 SFH3100F
单位包 2000
标准的提前期 10 weeks
Photo curr.min. 400µA
Op.temp.min. -40°C
暗电流为100nA 1nA
敏感区 0.11mm²
汽车 NO
Sens.range分 850nm
探测角度 28°
Max.sensivity 920nm
包装 SIDEVIEW
上升/下降时间 8000ns
正向V / VCEO 35V
SMD / THT THT
电源dissip 150mW
最小起订量 10000
Op.temp.max. 85°C
封装 BULK
Sens.range最大 1100nm
集电极电流(DC ) 0.05 A
集电极 - 发射极电压 35 V
发射极 - 集电极电压(最大值) 7 V
半强度角 28 deg
功率耗散 0.15 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -40C to 85C
引脚数 2
上升时间 7000 ns
暗电流 50 nA
光电流 400 uA
元件数 1
工作温度分类 Industrial
镜头类型 Black
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.4 V
下降时间 9000 ns
弧度硬化 No
RoHS指令 RoHS Compliant Part

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